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IRFU4105ZPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- IRFU4105ZPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用通用型TO-252-2L封装，适用于各类电源管理和功率转换应用。其关键参数包括最大漏源电压(VDSS)高达60V，能够稳定承载50A的漏极电流(ID)，尤其引人注目的是其低至15mΩ的导通电阻(RD(on))，大大提升了系统工作效率并降低了能量损耗。
- 商品型号
- IRFU4105ZPBF-HXY
- 商品编号
- C22366968
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.381124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IRFU4105ZPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 50A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 17mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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