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AOD442G-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- AOD442G 是一款高效的N沟道MOSFET，采用小型化的TO-252-2L封装，专为空间有限的设计方案而优化。其关键性能指标包括最高承受60V的漏源电压，能够稳定处理50A的连续电流，尤其突出的是，仅有15mR的低导通电阻，确保在运行过程中能量损耗最小化，提升系统效率。广泛应用在电源转换、电机控制和其他高电流开关电路设计中，展现出卓越的性能表现。
- 商品型号
- AOD442G-HXY
- 商品编号
- C22366969
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
IRFR3806PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 50A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 17mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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