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IRFR3806PBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款IRFR3806PbF N沟道MOS管采用先进的工艺技术制造，封装为TO-252-2L，适合高密度安装。其卓越性能表现在耐压高达60V，持续电流能力高达50A，且在正常工作状态下导通电阻仅为15mΩ，有效降低功耗与发热，确保设备高效稳定运行，适用于各类中高端电源转换和电机驱动应用。
- 商品型号
- IRFR3806PBF-HXY
- 商品编号
- C22366965
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
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