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NTD5865NL-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流50A，可在一定功率需求下稳定工作。电压60V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR，能有效控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制。
- 商品型号
- NTD5865NL-HXY
- 商品编号
- C22366966
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 87.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMN4031SSD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 12A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 16mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 24mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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