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SM4840PRL-HXY
2个N沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- SM4840PRL 是一款高效能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为现代高集成度电路设计。该器件具备40V的额定电压VDSS，以及12A的强大连续电流ID能力，展现卓越的电力处理性能。其16mΩ的导通电阻RD(on)设计，确保在工作状态下能显著降低能耗，提升系统整体能效。SM4840PRL 适用于电源转换、负载开关控制及中等电流驱动等多种应用场合，是您打造高效、节能电子设备的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- SM4840PRL-HXY
- 商品编号
- C22366959
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SM4840PRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V
- 漏极电流（ID） = 12A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 16mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 24mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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