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FDS8949-HXY
2个N沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- FDS8949 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高效率、高集成度的电子设计打造。该器件提供了40V的额定电压VDSS，可承载12A连续电流ID，展现出强大的电力处理性能。其导通电阻RD(on)仅为16mΩ，有效降低了系统能耗，提升了整体能效。FDS8949 适用于电源转换、负载开关控制以及中等电流驱动等各种应用环境，是实现低损耗、高效率电路设计的理想半导体器件。
- 商品型号
- FDS8949-HXY
- 商品编号
- C22366957
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11357克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF |
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