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SM3012T9RL-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:23A
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- 描述
- SM3012T9RL 是一款N+P沟道MOS管，采用散热性优良的TO-252-4L封装，适用于中大电流应用场合。该器件拥有30V的额定电压VDSS，能够安全承载20A的连续电流ID，突显其强大的电力处理能力。其导通电阻RD(on)低至18mΩ，有助于降低系统功耗，提升能效表现。广泛应用于电源转换、逆变器以及电动机驱动等系统，SM3012T9RL 是您实现高效能、可靠控制的理想半导体组件。
- 商品型号
- SM3012T9RL-HXY
- 商品编号
- C22366953
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
AO3434A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 5.8 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 28 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 38 mΩ
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理
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