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SM3012T9RL-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:23A
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- 描述
- SM3012T9RL 是一款N+P沟道MOS管，采用散热性优良的TO-252-4L封装，适用于中大电流应用场合。该器件拥有30V的额定电压VDSS，能够安全承载20A的连续电流ID，突显其强大的电力处理能力。其导通电阻RD(on)低至18mΩ，有助于降低系统功耗，提升能效表现。广泛应用于电源转换、逆变器以及电动机驱动等系统，SM3012T9RL 是您实现高效能、可靠控制的理想半导体组件。
- 商品型号
- SM3012T9RL-HXY
- 商品编号
- C22366953
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |