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SI4904DY-T1-E3-HXY
2个N沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- SI4904DY-T1-E3 是一款高品质N+N沟道MOSFET，采用标准SOP-8封装，适合广泛电子设备集成。该器件额定电压VDSS高达40V，可承受连续电流ID为12A，体现了其强大的电流处理性能。尤为出色的是，其导通电阻RD(on)仅为16mΩ，有效减少功率损耗，增强系统能效。适用于电源转换、负载开关以及中等电流驱动等应用领域，SI4904DY-T1-E3 是您实现高效率、低功耗电路设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- SI4904DY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366955
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF |
商品概述
NVD5863NL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 80A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 8mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源