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IRF9389PBF-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- IRF9389PbF 是一款N+P沟道MOS管，采用SOP-8封装形式，以其高集成度和优良散热性备受青睐。该器件工作电压高达30V，可承载高达7A的连续电流，拥有仅为15mΩ的超低导通电阻，确保高效能、低损耗运行。广泛应用于电源转换、电机驱动、大电流开关电路等领域，是您设计高性能、节能电子设备的可靠选择。
- 商品型号
- IRF9389PBF-HXY
- 商品编号
- C22366931
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.08W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 982pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
DMG3414U采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V，漏极电流ID = 7 A
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 17 mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 25 mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用