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FDD8647L-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- FDD8647L 是一款高性能N沟道MOSFET，采用高效散热封装TO-252-2L，专为高电流应用设计。器件具备40V的高额定电压VDSS，并能支持高达60A的连续电流ID，展现了其卓越的功率处理能力。亮点在于其超低导通电阻RD(on)仅为7.7mΩ，大大提升了电路能效，有效减小了功耗。FDD8647L 无疑是电源转换、电机控制等领域中追求高效率、大电流应用的理想半导体元件。
- 商品型号
- FDD8647L-HXY
- 商品编号
- C22366947
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376884克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 64.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDD8647L采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 40 V，漏极电流 = 60 A
- 栅源电压 = 10 V时，漏源导通电阻 < 8.5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源