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AO3418-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- AO3418 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化的SOT-23-3L封装，专为高效能、节省空间的电路设计打造。该器件提供30V的额定电压VDSS和高达5.8A的连续电流ID，确保了强大的电力处理能力。导通电阻RD(on)低至24mΩ，有效降低了系统功耗，提高了整体电路效率。广泛适用于电源转换、负载切换控制及低压电机驱动等场景，AO3418 是您电路设计的理想半导体组件之一。
- 商品型号
- AO3418-HXY
- 商品编号
- C22366950
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0315克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 507pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单
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