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AO3434A-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- AO3434A 是一款N沟道MOS管，采用精巧的SOT-23-3L封装，特别适合于紧凑型电子设备中的集成。该器件具有30V的额定电压VDSS和高达5.8A的连续电流ID，展现出强大的电流承载能力和可靠性。其低至24mΩ的导通电阻RD(on)设计，旨在最大限度地减少功率损耗，提升整体能效，是电源转换、负载切换和低压电机驱动等应用的理想选择。凭借出色的性能表现与紧凑封装设计，AO3434A 成为您电路设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- AO3434A-HXY
- 商品编号
- C22366949
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0315克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMN4026SK3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 5.8 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 28 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 38 mΩ
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理