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FDD6635-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- FDD6635 是一款强大高效的N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为处理高电流应用而设计。这款器件拥有40V的高额定电压VDSS，能稳定承载60A的连续电流ID，充分体现了其卓越的电力传输性能。尤其引人注目的是，其导通电阻RD(on)仅为7.7mΩ，从而大幅降低能耗并提升系统效率。FDD6635 是适用于电源转换、电机驱动等高要求场景的理想半导体解决方案。
- 商品型号
- FDD6635-HXY
- 商品编号
- C22366948
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3815克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.639nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |