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Si2342DS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- Si2342DS-T1-GE3 是一款高品质N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23封装，特别适合现代紧凑型电路设计需求。其关键特性包括额定电压VDSS高达20V，能够承载高达7A的连续电流，展现强劲的电力驱动能力。更值得一提的是，器件的导通电阻RD(on)低至15mΩ，确保在工作状态下具有极低的能量损耗与高效的能效表现，是您优化系统性能、提高能源利用率的绝佳选择。
- 商品型号
- Si2342DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366944
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品概述
STC4606采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 7 A
- RDS(ON) < 25 mΩ（VGS = 10 V时）
- VDS = -30V，ID = -8.5A
- RDS(ON) < 35 mΩ（VGS = -10 V时）
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源