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FDD8451-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- FDD8451 是一款高功率N沟道MOS管，采用稳固且散热优良的TO-252-2L封装，适于大电流应用场合。其拥有40V的高额定电压VDSS及惊人的30A连续电流ID能力，充分展示了卓越的电力处理效能。此外，18mΩ的低导通电阻RD(on)设计进一步减少了电能损耗，显著提升了系统运行效率，是高端电源转换、电机驱动等领域的理想半导体解决方案。
- 商品型号
- FDD8451-HXY
- 商品编号
- C22366945
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品概述
Si4532CDY采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 30 A
- RDS(ON) < 22 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源