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DMN4026SK3-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流达30A，可适应一定功率需求。电压为40V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值18mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可满足特定电子设备对电流和电压的要求。
- 商品型号
- DMN4026SK3-HXY
- 商品编号
- C22366946
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.381克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMN4026SK3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 30 A
- RDS(ON) < 22 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源