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FDMC6686P-HXY
1个P沟道 耐压:18V 电流:80A
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- 描述
- FDMC6686P P沟道MOS管采用先进DFN5X6-8L封装，尺寸紧凑，热性能优秀。该器件在18V的最大工作电压下，可提供高达80A的持续电流，并具有业界领先的3.4mΩ超低导通电阻，有效降低功耗，提升系统效率。广泛应用于大电流电源转换、电机驱动等领域，是高功率应用的理想选择。
- 商品型号
- FDMC6686P-HXY
- 商品编号
- C22366937
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 149nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.5nF |
商品概述
DMN2005UFG采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 60 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源