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SI7635DP-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:18V 电流:80A
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- 描述
- SI7635DP-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，优化散热性能和PCB占用面积。器件能在18V的电压下稳定工作，提供强劲的80A连续电流，而3.4mΩ的超低导通电阻确保了卓越的能效表现。广泛应用于电源供应系统等领域的高电流开关与转换场景，是实现高效能电力管理的理想解决方案。
- 商品型号
- SI7635DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366938
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 149nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.5nF |