温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG3414U-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此场效应管为N型，电流7A，可适应一定功率输出。电压20V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值15mR，有助于减少能量损耗。VGS为12V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定需求的电子设备中。
- 商品型号
- DMG3414U-HXY
- 商品编号
- C22366941
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品概述
FDD8451采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 30 A
- RDS(ON) < 22 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源