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PMV16XNR-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 这款型号为PMV16XNR 的N沟道MOS管，采用小巧耐用的SOT-23封装，适用于各类精密电子设备。其核心参数优秀，额定电压VDSS高达20V，连续电流ID可达7A，确保了卓越的电源处理能力。而其低至15mΩ的导通电阻RD(on)，则有效降低了功率损耗，提升系统能效，是您构建高效电路的理想选择。
- 商品型号
- PMV16XNR-HXY
- 商品编号
- C22366943
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF@10V |
商品概述
AO4630采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 7A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 25mΩ
- VDS = -30V，ID = -8.5A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 35mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源