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IRLML6244PBF-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- IRLML6244PbF 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，适合空间受限的电路设计。器件在20V的最大工作电压下，可承载高达7A的连续电流，并提供优异的15mΩ导通电阻，实现高效能、低损耗的功率转换。广泛应用于电源管理、马达驱动、开关稳压器等各种场合，是打造高性能、节能电子产品的理想之选。
- 商品型号
- IRLML6244PBF-HXY
- 商品编号
- C22366942
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品概述
SIS410DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V，漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源