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FDD6685-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD6685-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:50A

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描述
FDD6685 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装,具备良好的散热性能和易于焊接的特点。该器件在30V的最大工作电压下,能承载高达50A的大电流,且拥有仅为15mΩ的低导通电阻,确保高效能、低损耗的电力传输。
商品型号
FDD6685-HXY
商品编号
C22366940
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.3825克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)45W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)22nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.215nF@15V
反向传输电容(Crss)237pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
配置-

数据手册PDF

优惠活动

  • 8.8

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    (2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个2500个/圆盘

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