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FDD6685-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- FDD6685 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备良好的散热性能和易于焊接的特点。该器件在30V的最大工作电压下，能承载高达50A的大电流，且拥有仅为15mΩ的低导通电阻，确保高效能、低损耗的电力传输。
- 商品型号
- FDD6685-HXY
- 商品编号
- C22366940
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
DMN63D8L采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = 50A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源