温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR401DP-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:18V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SIR401DP-T1-GE3 P沟道MOS管采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具备出色的散热性能和电路板空间利用率。该器件能在18V电压下稳定运行，提供高达80A的连续电流，拥有超低3.4mΩ导通电阻，确保了高效能、低损耗的电力传输。广泛应用于高电流电源转换、电动车充电系统等场合，是高性能、节能设计的理想组件。
- 商品型号
- SIR401DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366939
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 149nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.5nF |
商品概述
FDMC8554采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 60 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源