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Si4532CDY-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 此场效应管为N+P型，电流为7A，可承载一定的电流负荷。电压达30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可满足特定电子设备对电流和电压的特定需求。
- 商品型号
- Si4532CDY-HXY
- 商品编号
- C22366933
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.08W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
FDV301N采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 0.1 A
- RDS(ON) < 2.2 Ω（VGS = 10 V时）
- ESD等级：HBM ≥ 2000V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源