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Si4532CDY-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
- 描述
- 此场效应管为N+P型，电流为7A，可承载一定的电流负荷。电压达30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可满足特定电子设备对电流和电压的特定需求。
- 商品型号
- Si4532CDY-HXY
- 商品编号
- C22366933
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |