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DMN63D8L-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流仅0.1A，适合低功率需求。电压30V，可在特定电路环境中稳定工作。内阻典型值1200mR。VGS为20V。在消费电子领域，可用于一些对电流要求不高的小型电子设备中，保障电路的正常运行。
- 商品型号
- DMN63D8L-HXY
- 商品编号
- C22366935
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
SIR401DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -18 V，ID = -80 A
- RDS(ON) < 3 mΩ，VGS = -10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源