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FDV301N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
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- 描述
- FDV301N N沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23封装，专为精细化电子设计打造。在30V的额定电压下稳定运行，提供精确到0.1A的电流控制能力，具备1200mR导通电阻，尤其适用于低功耗、小电流应用环境。广泛应用于电源管理、信号切换、保护电路等领域，是您追求高效、节能电路解决方案的理想元件。
- 商品型号
- FDV301N-HXY
- 商品编号
- C22366936
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDV301N采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 0.1 A
- RDS(ON) < 2.2 Ω(VGS = 10 V时)
- ESD等级:HBM ≥ 2000V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源