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DMG301NU-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流0.1A，适用于低功率场景。电压为30V，可在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值1200mR，虽内阻较大但在特定小电流应用中有其优势。VGS为20V。在消费电子领域的小型电子设备中可发挥作用。
- 商品型号
- DMG301NU-HXY
- 商品编号
- C22366934
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |