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AO4616-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- AO4616 N+P沟道MOS管采用标准SOP-8封装，结构紧凑，适配多种应用场景。器件支持30V的最大工作电压，能承载高达7A的连续电流，具有极低的15mΩ导通电阻，确保高效能、低损耗电力传输。广泛应用于DC/DC转换、电机驱动、电源开关等电路设计，是工程师构建高性能、节能电子系统的核心元件。
- 商品型号
- AO4616-HXY
- 商品编号
- C22366929
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.08W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 982pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
AO4616采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 7A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 25 mΩ
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -8.5A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 35 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源