温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMC8554-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- FDMC8554 MOS管选用N沟道结构，搭配前沿DFN3X3-8L封装，紧凑且高效。这款器件具有20V的工作电压VDSS，可承载高达60A的连续电流ID，表现出卓越的电流传送能力。其亮点在于极低的导通电阻仅4mR，有助于降低功耗，提高系统能效比。适用于高功率密度的电源转换、大电流驱动应用领域，是您构建高性能电子系统的优质选择。
- 商品型号
- FDMC8554-HXY
- 商品编号
- C22366928
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 407pF |
商品概述
DMG7408SFG采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 20A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源