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SIS410DN-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- SIS410DN-T1-GE3 MOS管是一款高性能N沟道半导体组件，采用先进的DFN3X3-8L封装技术，体积小，性能强。其特点在于20V的最大耐压值VDSS，能够承载高达60A的连续电流ID，而仅4mR的超低导通电阻使其在同类产品中脱颖而出，大大提升了电源转换效率和整体系统性能。本产品广泛适用于高压、大电流应用场景，如电源管理、马达驱动等，是您实现高效能电路设计的理想选择。
- 商品型号
- SIS410DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366927
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 407pF |
商品概述
SI7635DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -18 V，ID = -80 A
- RDS(ON) < 3 mΩ，VGS = -10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源