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SI7108DN-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- SI7108DN-T1-GE3 MOS管，采用业界领先的N沟道设计，封装紧凑且高效——DFN3X3-8L规格，特别适用于空间有限的精密电路。该器件拥有20V的稳定工作电压VDSS，最大连续电流可达60A，展现出卓越的电流处理能力。尤为突出的是其超低的导通电阻仅4mR，旨在提升系统能效，减少损耗。此款MOS管适用于高功率密度应用，包括但不限于电源转换器、大电流开关控制器等，是追求高性能电子产品的必备元件。
- 商品型号
- SI7108DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366926
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
FDMC8884采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 60 A
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源