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DMN2005UFG-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流高达60A，可满足较大功率输出需求。电压为20V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值仅4mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备。
- 商品型号
- DMN2005UFG-HXY
- 商品编号
- C22366925
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 407pF |