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SI7106DN-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- SI7106DN-T1-E3 MOS管是一款高性能N沟道半导体器件，采用小型化DFN3X3-8L封装技术，具有强大的电力处理能力。其特点是20V的VDSS耐压值，以及惊人的60A持续电流ID，尤其引人注目的是其超低导通电阻仅4mR，有效降低损耗，提升整体效能。这款MOS管非常适合应用于要求严苛的电源转换、大电流开关控制等场景，为您带来前所未有的能效体验。
- 商品型号
- SI7106DN-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366923
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 407pF |