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SIS412DN-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- SIS412DN-T1-GE3 MOS管，以紧凑型DFN3X3-8L封装提供卓越性能。该器件为N沟道设计，拥有30V的稳定工作电压VDSS及出色的20A电流承载能力，其导通电阻低至15mR，确保了在高功率转换中的优异效率表现。适用于各类高端电源控制、马达驱动等领域，是您实现系统优化的理想半导体解决方案。
- 商品型号
- SIS412DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366922
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0665克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品概述
SIS412DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 20 A
- 当栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源