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FDMC8884-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流20A，可承载一定的电流负荷。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
- 商品型号
- FDMC8884-HXY
- 商品编号
- C22366921
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品概述
STD12NF06LT4采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 20 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 32 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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