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AON7408-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- AON7408 是一款N沟道MOSFET，采用小型化的DFN3X3-8L封装，具有出色的集成度和散热性能。在30V的最大漏源电压(VDSS)条件下，能稳定传输高达20A的漏极电流(ID)，特别适合对电流处理能力有高要求的应用。15mΩ的低导通电阻使得器件运行更加高效节能。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是高集成、高性能电子设计方案的理想选择。
- 商品型号
- AON7408-HXY
- 商品编号
- C22366919
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
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