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AOD21357-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOD21357-HXY

耐压:30V 电流:80A

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描述
AOD21357 P沟道MOS管采用标准TO-252-2L封装,具有优良的散热性能与广泛的适用性。器件工作电压VDSS高达30V,可承载80A的强劲连续漏极电流ID,充分展现其强大的电流处理能力。特别值得关注的是,其内部导通电阻RD(on)仅为6.5mΩ,这使得它在运行过程中能够显著减少功率损耗,提高系统能效。AOD21357 MOS管适用于各类高压大电流应用领域,如电源转换、电机驱动等,是高效率、低功耗半导体解决方案的理想选择。
商品型号
AOD21357-HXY
商品编号
C22366832
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.365克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)31.2W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)4.32nF
反向传输电容(Crss)487pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)529pF

数据手册PDF