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AOD21357-HXY
耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- AOD21357 P沟道MOS管采用标准TO-252-2L封装，具有优良的散热性能与广泛的适用性。器件工作电压VDSS高达30V，可承载80A的强劲连续漏极电流ID，充分展现其强大的电流处理能力。特别值得关注的是，其内部导通电阻RD(on)仅为6.5mΩ，这使得它在运行过程中能够显著减少功率损耗，提高系统能效。AOD21357 MOS管适用于各类高压大电流应用领域，如电源转换、电机驱动等，是高效率、低功耗半导体解决方案的理想选择。
- 商品型号
- AOD21357-HXY
- 商品编号
- C22366832
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF |
商品概述
AON7426采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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