温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDV3604URH-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:32A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- MDV3604 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封装，专为高密度电路设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达32A的连续漏极电流(ID)，并展现出极其出色的10mΩ导通电阻(RD(on))，确保在大电流工作条件下仍然保持高效能与低发热。这款MOS管广泛应用在电源转换、马达驱动、电池管理系统等场合，是实现高功率密度和节能设计的理想之选。
- 商品型号
- MDV3604URH-HXY
- 商品编号
- C22366846
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |