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STS7PF30L-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- STS7PF30L 是一款采用SOP-8封装的高性能P沟道MOS管，专为高压、大电流应用场景设计。其特性包括最高30V的电压额定值VDSS，以及高达11A的连续漏极电流ID，充分展现了卓越的电力传输能力。尤其值得关注的是，该器件的导通电阻RD(on)仅为12.5mΩ，极大地优化了功率损耗并提升了系统效率。无论在电源管理、电池保护或马达驱动等方面，STS7PF30L MOS管均以其出色性能，成为您电路设计的理想之选。
- 商品型号
- STS7PF30L-HXY
- 商品编号
- C22366871
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
FDS8433A采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 20V，ID = - 20A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源