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IRFR024NPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- IRFR024NPbF 是一款高性能N沟道MOSFET，封装采用业界流行的TO-252-2L，具有良好的散热性能和紧凑尺寸。该器件在60V的最大漏源电压(VDSS)下，可承载高达15A的连续漏极电流(ID)，尤其适用于高压大电流应用场景。其内部导通电阻仅为38mΩ，有效提升了系统效率并降低了功耗。广泛运用于电源转换、电机驱动等电子设计中，是您寻求高效、可靠半导体解决方案的理想选择。
- 商品型号
- IRFR024NPBF-HXY
- 商品编号
- C22366901
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
IRLR024NPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 20 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 32 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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