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IRLR014TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- IRLR014TRPBF 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，以其紧凑、高效的优势适用于各类电子设计。该器件在60V的最大漏源电压(VDSS)下，能稳定提供15A的漏极电流(ID)，适用于高压大电流场景。导通电阻低至38mΩ，有效提高系统能效并降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等行业，是打造高性能、低损耗电子系统的理想半导体器件。
- 商品型号
- IRLR014TRPBF-HXY
- 商品编号
- C22366905
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AUIRFR024NTRL采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V
- 漏极电流ID = 20 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 32 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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