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MTD3055V-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- MTD3055V 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，具有出色的散热性能和空间利用率。在60V的最大漏源电压(VDSS)下，可承载高达15A的连续漏极电流(ID)，适用于高功率、大电流应用场景。其导通电阻仅为38mΩ，有助于提升系统整体能效并减少功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是实现高效、节能电子设备设计的理想半导体组件。
- 商品型号
- MTD3055V-HXY
- 商品编号
- C22366906
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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