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NTD18N06L-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
- 描述
- 此场效应管为N型，电流20A，可承载一定的电流负荷。电压60V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值27mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可满足特定电子设备对电流和电压的要求。
- 商品型号
- NTD18N06L-HXY
- 商品编号
- C22366907
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- NTD3055L104-HXY
- NTD3055L170-HXY
- RFD14N05LSM-HXY
- STD12NF06LT4-HXY
- SQ2362ES-T1_GE3-HXY
- SIS414DN-T1-GE3-HXY
- AON7408-HXY
- FDMC8884-HXY
- SIS412DN-T1-GE3-HXY
- SIS410DN-T1-GE3-HXY
- FDMC8554-HXY
- AO4616-HXY
- AO4630-HXY
- STC4606-HXY
- FDV301N-HXY
- SI7635DP-T1-GE3-HXY
- SIR401DP-T1-GE3-HXY
- FDD6685-HXY
- DMG3414U-HXY
- IRLML6244PBF-HXY
- PMV16XNR-HXY
- NTD3055L104-HXY
- NTD3055L170-HXY
- RFD14N05LSM-HXY
- STD12NF06LT4-HXY
- SQ2362ES-T1_GE3-HXY
- SIS414DN-T1-GE3-HXY
- AON7408-HXY
- FDMC8884-HXY
- SIS412DN-T1-GE3-HXY
- SIS410DN-T1-GE3-HXY
- FDMC8554-HXY
- AO4616-HXY
- AO4630-HXY
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- FDV301N-HXY
- SI7635DP-T1-GE3-HXY
- SIR401DP-T1-GE3-HXY
- FDD6685-HXY
- DMG3414U-HXY
- IRLML6244PBF-HXY
- PMV16XNR-HXY