温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTD3055L170-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款场效应管为N型，电流为20A，可满足一定功率需求。电压60V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值27mR。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制和功率调节，保障设备稳定运行。
- 商品型号
- NTD3055L170-HXY
- 商品编号
- C22366910
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.398889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
相似推荐
其他推荐
- RFD14N05LSM-HXY
- STD12NF06LT4-HXY
- STD16NF06-HXY
- ZXMN6A08K-HXY
- AUIRLR024N-HXY
- SQ2362ES-T1_GE3-HXY
- AON3414-HXY
- SIS414DN-T1-GE3-HXY
- AON7408-HXY
- DMG7408SFG-HXY
- FDMC8884-HXY
- SIS412DN-T1-GE3-HXY
- SI7106DN-T1-E3-HXY
- TPCC8093-HXY
- DMN2005UFG-HXY
- SI7108DN-T1-GE3-HXY
- SIS410DN-T1-GE3-HXY
- FDMC8554-HXY
- AO4616-HXY
- AO4630-HXY
- IRF9389PBF-HXY