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SIS414DN-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- SIS414DN-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为高密度电子设计打造。在30V的最大漏源电压(VDSS)下，可承载高达20A的连续漏极电流(ID)，满足大电流应用需求。其突出的15mΩ导通电阻，有效提升系统效率，减少功耗。广泛应用于电源管理、马达驱动、电池保护等电路设计，是高性能、低电阻解决方案的理想选择。
- 商品型号
- SIS414DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366918
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品概述
SIS414DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V
- 漏极电流（ID） = 20A
- 在栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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