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ZXMN6A08K-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流20A，适用于一定功率场景。电压60V，能在特定电路中稳定运行。内阻典型值27mR，能量损耗处于中等水平。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定需求的小型电子设备中。
- 商品型号
- ZXMN6A08K-HXY
- 商品编号
- C22366914
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
SQ2362ES-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 49mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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