温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AUIRLR024N-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AUIRLR024N 是一款高性能N沟道MOSFET，采用高效散热的TO-252-2L封装，专为高要求应用设计。在60V的最大漏源电压(VDSS)条件下，能持续输出15A的漏极电流(ID)，特别适用于高压大电流场景。38mΩ的低导通电阻确保了系统高效运行，降低能耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是构建高质量、节能电子系统的理想半导体元件。
- 商品型号
- AUIRLR024N-HXY
- 商品编号
- C22366915
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RFD14N05LSM采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 20 A
- RDS(ON) < 32 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
相似推荐
其他推荐