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STD12NF06LT4-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- STD12NF06LT4 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经济高效的TO-252-2L封装，适用于多种电子设计需求。在60V的最大漏源电压(VDSS)条件下，可提供稳定的15A漏极电流(ID)，特别适应高压大电流应用环境。其38mΩ的低导通电阻有助于提升系统能效，减少不必要的功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是您构建优质、节能电子系统的可靠组件。
- 商品型号
- STD12NF06LT4-HXY
- 商品编号
- C22366912
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.396667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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