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NTD3055-150-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流20A，可适应一定功率输出。电压60V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值27mR，能有效控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可满足特定电子设备对电流和电压的要求。
- 商品型号
- NTD3055-150-HXY
- 商品编号
- C22366908
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.396667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRFR024NPBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V
- 漏极电流ID = 20 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 32 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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