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RFD12N06RLES-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流20A，可承担一定功率负载。电压60V，能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值27mR，能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流调控。
- 商品型号
- RFD12N06RLES-HXY
- 商品编号
- C22366902
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
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